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SRAM (Static RAM) Schnell; sparsam benötigt keinen Refresh-Zyklus, für Cache-Speicher
VRAM (Volatile RAM) Schnell; gleichzeitige Lese- und Schreibzugriffe
DRAM (Dynamic RAM) Langsam; benötigt Refresh- Zyklus, klein
SDRAM (Synchronous DRAM) Standart, Arbeitet synchron zum Prozessortakt, teuer
EDO-RAM (Extented Data Out DRAM) Verbesserter DRAM, höhere Bearbeitungsgeschwindigkeit
DDR-RAM (Double Data Rate RAM) Durch verbessertes Verfahren doppelte Übertragungsrate von SDRAM
PRAM (Parameter RAM) Durch Batterie mit Strom versorgt, daher kein Datenverlust beim Ausschalten
https://www.ik.fh-hannover.de/person/becher/edvhist/speicher/ - uebersichtDer überwiegende Teil des Hauptspeichers ist vom Arbeitsspeicher belegt. Sein Inhalt kann verändert werden, indem sein Inhalt ausser gelesen auch überschrieben oder gelöscht werden kann. Für solchen Schreib-Lese- Speicher hat sich die Bezeichnung RAM Speicher (Random Access Memory) durchgesetzt.
Die Übersetzung von RAM als Speicher mit freiem Zugriff sagt nichts anderes aus, als dass bei ihm die Informationen zu jedem beliebigen Zeitpunkt gelesen oder geschrieben werden können.
DRAM-Bausteine werden als Chip oder als Modul eingesetzt. Bei letzteren sind mehrere Chips zusammengefasst. Die Gehäuse von RAM-Chips haben kleine Beinchen, sogenannte Pins, mit denen sie in den jeweiligen Sockel auf dem Motherboard eingesetzt werden können. Man bezeichnet sie auch als DIP (Dual Inline Pin), wobei die Zahl der Pins 16,18 oder 20 beträgt.
Solche DIPs finden sich vor allem bei älteren Computern.
Die Zusammenfassung von einer Chipreihe zu einem Speichermodul ist vor allem von Vorteil wegen dem geringeren Platzbedarf auf dem Motherboard. Bei den SIP-Modulen (Single-Inline-Package) sind für das Aufstecken auf die passende Sockelleiste eine Reihe Pins vorhanden.
SIM- Module (Single Inline Memory ) sind heute allerdings mit Kontaktleisten versehen. (siehe Abbildung nächste Seite)
Welche Kapazität die Speicher aufweisen, ist aus ihrer Beschriftung zu entnehmen. Zum Beispiel zeigt ein Chip mit der Zahl 41256, dass er über eine Kapazität von 256 kBit verfügt. Ob die ersten beiden Ziffern 41, 51 oder 23 lauten, ist allein eine Frage hinsichtlich der Herstellung, einsetzbar sind sie alle.
Bei der Kennzeichnung der RAM-Bausteine wird hinter dem Bindestrich die Zugriffszeit angegeben. Ihre Masseinheit sind Nanosekunden.
Die Abbildung zeigt ein 30-poliges RAM Modul (SIMM)
Die Speicher- Chips werden in Reihen zu acht Bit, also einem Byte so zusammengefasst, dass alle acht Bits gleichzeitig übertragen werden können.
Ein neuntes Speicherelement übernimmt den Part des Prüfbits (Parity- Bits), um Fehler bei der Übertragung von und nach dem Speicher kontrollieren zu können.
Die Paritätsprüfung erfolgt durch Summenbildung in den Chipreihen, die mit dem Prüfbit übereinstimmen muss. Ist das nicht der Fall, wird das Programm unterbrochen und es erfolgt eine Fehlermeldung.
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