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1.
Allgemeine Formel für die Anzahl der programmierbaren Verbindungen N
N = 2k . n
k...Anzahl der Eingangsvariablen
n...Anzahl der Ausgangsvariablen
Die Verbindungen zwischen den Eingängen und den UND-Gattern sind vom Hersteller fest vorgegeben. Ein ROM ist beim Hersteller maskenprogrammierbar, d.h der Speicherinhalt wird im letzten Herstellungsschritt mit einer spezifischen Metallisierungsmaske eingegeben.
PROMs sind Festwertspeicher, deren Inhalt vom Anwender einmal programmierbar ist. Pro¬grammierbare Bauelemente sind meistens Schmelzsicherungen, Dioden oder spezielle MOSFETs mit "floating gate".
Das (UV-)EPROM ist ein Festwertspeicher, der sich nicht nur vom Anwen¬der programmieren, sondern auch mit ultraviolettem Licht löschen läßt. (Das Gehäuse des Chips besitzt ein Fenster aus Quarzglas). Speicherele¬mente sind spezielle MOSFETs.
Das EEPROM (=Electrically Erasable PROM) ist ein PROM, das sich im Gegensatz zum EPROM elektrisch löschen läßt. Bei den neueren Typen sind der Spannungswandler zur Erzeugung des Programmierspannung und der Timer zur Festlegen der Pro¬grammierimpulsdauer im Chip integriert. Wird ein neues Byte programmiert, wird zuerst das alte Byte gelöscht und dann das neue programmiert.
Nachteil:
Jede zusätzliche Eingangsvariable bewirkt eine Verdopplung der erforderlichen UND-Arrays, da die Eingänge fest verdrahtet sind. Die Erhöhung der Ausgänge erfordert nicht so viele zusätzliche Gatter.
Beispiel: beliebige Funktion nach einer Wahrheitstabelle realisieren
x2 x1 x0 y DNF (Disjunktive Normalform) Realisierung im ROM
0 0 0 1
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 1
1 1 1 0
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